Cuota De Producción: | 1 |
Precio: | Customized |
Embalaje Estándar: | Caja de la madera contrachapada |
Período De Entrega: | 30 días |
Forma De Pago: | T/T |
Capacidad De Suministro: | 5 sistemas por mes |
Célula magnética transversal del IEC 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz electro
Descripción del producto para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
La célula transversal de la onda electromagnética del gigahertz de GTEM (electro transversal del gigahertz magnético) es una guía de onda cerrada del solo-puerto con una frecuencia hasta 20GHz.
Usando GTEM (onda electromagnética transversal del gigahertz) para la prueba de la compatibilidad electromágnetica es una nueva tecnología de la medida desarrollada en el campo de la compatibilidad electromágnetica internacional estos últimos años. Deuda a las características de banda ancha de GTEM (de corriente continua a la microonda) y bajo costo (solamente el algún por ciento del coste de una cámara anecoica), puede ser utilizada para las pruebas de la susceptibilidad de la radiación electromágnetica (las pruebas del ccsme, llamaron a veces pruebas de la inmunidad). Puede también ser utilizada para la prueba de la radiación electromágnetica (prueba de la EMI) y el equipo usado (comparado a la prueba en la cámara anecoica) tiene configuración simple. El coste es barato y puede ser utilizado para la prueba rápida y automática, así que ha sido prestado cada vez más la atención por la gente internacional y nacional relevante. Entre ella, especialmente para la prueba del pequeño equipo, la solución de la medida de la célula de GTEM es la mejor solución de la prueba con el mejor ratio del funcionamiento-precio.
Estándares de la prueba para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
Estándar del EMC de la célula de GTEM (electro transversal del gigahertz magnético) de la célula de GTEM:
Estándares de la EMI: Establezca una base común para evaluar las emisiones irradiadas del equipo eléctrico y electrónico (componentes).
Medida del IEC 61967-2 de la emisión electromágnetica de los circuitos integrados 150kHz 1GHz a la parte 2: Método irradiado de la célula de la medida TEM de la emisión.
Estándar del ccsme: Para establecer una base común para evaluar la capacidad del equipo eléctrico y electrónico de resistir interferencia irradiada del campo electromagnético.
Medida del IEC 62132-2 de la inmunidad electromágnetica de la parte 2 de los circuitos integrados 150kHz~1GHz: Método de la célula de TEM y de GTEM.
IEC 61000-4-20, EN 61000-4-20
IEC 61000-4-3, EN 61000-4-3
IEC 61000-6-3, EN 61000-6-3
IEC 61000-6-4, EN 61000-6-4
ISO 11452-3, SAE J1113-24
Composición para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
GTEM se puede mirar como extensión espacial del cable coaxial 50Ω para acomodar el objeto medido. El alambre de la base del cable coaxial se amplía para ser la placa de base de la célula de GTEM, y la envoltura del cable coaxial se hace en la cáscara de la célula de GTEM. La impedancia característica dentro de la célula de GTEM todavía se diseña para ser 50Ω. Para evitar que la onda electromagnética de la entrada sea reflejada en el extremo de la cavidad interna, el extremo del tablero de base está conectado con una carga a juego de banda ancha, y un material de onda-absorción se pone en el extremo de la cavidad. Para absorber las ondas electromagnéticas emitidas al extremo.
Las propagaciones transversales de la onda electromagnética a lo largo de la placa de base, y la intensidad de campo eléctrico generada es proporcionales al voltaje aplicado en la placa de base. La fuerza del campo en diversas posiciones también depende de la altura del tablero de base (la distancia entre el conductor interno y la tierra), más cercano a la división, más fuerte es la fuerza de campo.
Parámetros técnicos para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
Indicadores de funcionamiento principales:
Gama de frecuencia: DC-6GHz
Impedancia de entrada: 50Ω±5Ω (valor típico: 50Ω±2Ω)
Ratio de onda de situación de voltaje: ≤1.75 (valor típico: ≤1.5)
Energía de entrada máxima: 1000W
Dimensiones de la célula de externo: los 4.0m los x 2.2m los x 2.1m (L x W x H)
Altura electrónica máxima de la división: 750m m
zona de pruebas de la uniformidad del campo de ±3dB: 350 milímetros x 350 milímetros
Zona de pruebas recomendada máxima de EUT: 67,5 x 67,5 los x 49cm
Peso: 500kg
Gama de frecuencia | 80MHz-1000MHz |
De potencia de salida | 70W |
Aumento | +49dB |
Tipo | |
Llanura linear del aumento del poder | ±3dB máximo |
Impedancia de la entrada-salida | 50ohm |
VSWR entrado | 2:1 máximo |
Energía entrada | +0dBm máximo |
Distorsión armónica | H2, H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit=""> |
Interfaz de entrada del RF | el N-tipo hembra del terminal (panel de delante o panel trasero), otros interfaces puede ser modificado para requisitos particulares |
Interfaz de la salida del RF | el N-tipo hembra del terminal (panel de delante o panel trasero), otros interfaces puede ser modificado para requisitos particulares |
Cuota De Producción: | 1 |
Precio: | Customized |
Embalaje Estándar: | Caja de la madera contrachapada |
Período De Entrega: | 30 días |
Forma De Pago: | T/T |
Capacidad De Suministro: | 5 sistemas por mes |
Célula magnética transversal del IEC 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz electro
Descripción del producto para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
La célula transversal de la onda electromagnética del gigahertz de GTEM (electro transversal del gigahertz magnético) es una guía de onda cerrada del solo-puerto con una frecuencia hasta 20GHz.
Usando GTEM (onda electromagnética transversal del gigahertz) para la prueba de la compatibilidad electromágnetica es una nueva tecnología de la medida desarrollada en el campo de la compatibilidad electromágnetica internacional estos últimos años. Deuda a las características de banda ancha de GTEM (de corriente continua a la microonda) y bajo costo (solamente el algún por ciento del coste de una cámara anecoica), puede ser utilizada para las pruebas de la susceptibilidad de la radiación electromágnetica (las pruebas del ccsme, llamaron a veces pruebas de la inmunidad). Puede también ser utilizada para la prueba de la radiación electromágnetica (prueba de la EMI) y el equipo usado (comparado a la prueba en la cámara anecoica) tiene configuración simple. El coste es barato y puede ser utilizado para la prueba rápida y automática, así que ha sido prestado cada vez más la atención por la gente internacional y nacional relevante. Entre ella, especialmente para la prueba del pequeño equipo, la solución de la medida de la célula de GTEM es la mejor solución de la prueba con el mejor ratio del funcionamiento-precio.
Estándares de la prueba para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
Estándar del EMC de la célula de GTEM (electro transversal del gigahertz magnético) de la célula de GTEM:
Estándares de la EMI: Establezca una base común para evaluar las emisiones irradiadas del equipo eléctrico y electrónico (componentes).
Medida del IEC 61967-2 de la emisión electromágnetica de los circuitos integrados 150kHz 1GHz a la parte 2: Método irradiado de la célula de la medida TEM de la emisión.
Estándar del ccsme: Para establecer una base común para evaluar la capacidad del equipo eléctrico y electrónico de resistir interferencia irradiada del campo electromagnético.
Medida del IEC 62132-2 de la inmunidad electromágnetica de la parte 2 de los circuitos integrados 150kHz~1GHz: Método de la célula de TEM y de GTEM.
IEC 61000-4-20, EN 61000-4-20
IEC 61000-4-3, EN 61000-4-3
IEC 61000-6-3, EN 61000-6-3
IEC 61000-6-4, EN 61000-6-4
ISO 11452-3, SAE J1113-24
Composición para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
GTEM se puede mirar como extensión espacial del cable coaxial 50Ω para acomodar el objeto medido. El alambre de la base del cable coaxial se amplía para ser la placa de base de la célula de GTEM, y la envoltura del cable coaxial se hace en la cáscara de la célula de GTEM. La impedancia característica dentro de la célula de GTEM todavía se diseña para ser 50Ω. Para evitar que la onda electromagnética de la entrada sea reflejada en el extremo de la cavidad interna, el extremo del tablero de base está conectado con una carga a juego de banda ancha, y un material de onda-absorción se pone en el extremo de la cavidad. Para absorber las ondas electromagnéticas emitidas al extremo.
Las propagaciones transversales de la onda electromagnética a lo largo de la placa de base, y la intensidad de campo eléctrico generada es proporcionales al voltaje aplicado en la placa de base. La fuerza del campo en diversas posiciones también depende de la altura del tablero de base (la distancia entre el conductor interno y la tierra), más cercano a la división, más fuerte es la fuerza de campo.
Parámetros técnicos para la célula de Chip Test Integrated Circuit GTEM:
Indicadores de funcionamiento principales:
Gama de frecuencia: DC-6GHz
Impedancia de entrada: 50Ω±5Ω (valor típico: 50Ω±2Ω)
Ratio de onda de situación de voltaje: ≤1.75 (valor típico: ≤1.5)
Energía de entrada máxima: 1000W
Dimensiones de la célula de externo: los 4.0m los x 2.2m los x 2.1m (L x W x H)
Altura electrónica máxima de la división: 750m m
zona de pruebas de la uniformidad del campo de ±3dB: 350 milímetros x 350 milímetros
Zona de pruebas recomendada máxima de EUT: 67,5 x 67,5 los x 49cm
Peso: 500kg
Gama de frecuencia | 80MHz-1000MHz |
De potencia de salida | 70W |
Aumento | +49dB |
Tipo | |
Llanura linear del aumento del poder | ±3dB máximo |
Impedancia de la entrada-salida | 50ohm |
VSWR entrado | 2:1 máximo |
Energía entrada | +0dBm máximo |
Distorsión armónica | H2, H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit=""> |
Interfaz de entrada del RF | el N-tipo hembra del terminal (panel de delante o panel trasero), otros interfaces puede ser modificado para requisitos particulares |
Interfaz de la salida del RF | el N-tipo hembra del terminal (panel de delante o panel trasero), otros interfaces puede ser modificado para requisitos particulares |